IRFH8337TRPBF | Rochester Electronics IRFH8337TRPBF | IRFH8337TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8337TRPBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFH8337TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8337TRPBF
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFH8337TRPBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFH8337TRPBF Specyfikacje

Numer części:	IRFH8337TRPBF
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	HEXFET®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Ta), 35A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	12.8mOhm @ 16.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	790 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.2W (Ta), 27W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PQFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN