RRH100P03GZETB | ROHM Semiconductor RRH100P03GZETB | RRH100P03GZETB Inventory, Best Pricing

RRH100P03GZETB

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RRH100P03GZETB
LIXINC Part #	RRH100P03GZETB
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RRH100P03GZETB Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RRH100P03GZETB Specyfikacje

Numer części:	RRH100P03GZETB
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	12.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	68 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3600 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	650mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)