NTTFS4H05NTAG | Rochester Electronics NTTFS4H05NTAG | NTTFS4H05NTAG Inventory, Best Pricing

NTTFS4H05NTAG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NTTFS4H05NTAG
LIXINC Part #	NTTFS4H05NTAG
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NTTFS4H05NTAG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NTTFS4H05NTAG Specyfikacje

Numer części:	NTTFS4H05NTAG
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	22.4A (Ta), 94A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18.9 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.205 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.66W (Ta), 46.3W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-WDFN (3.3x3.3)
opakowanie / etui:	8-PowerWDFN