NVMFS5833NWFT1G | Rochester Electronics NVMFS5833NWFT1G | NVMFS5833NWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5833NWFT1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVMFS5833NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5833NWFT1G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	N-CHANNEL, MOSFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVMFS5833NWFT1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVMFS5833NWFT1G Specyfikacje

Numer części:	NVMFS5833NWFT1G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	16A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	32.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1.714 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.7W (Ta), 112W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN