NVD5802NT4G | Rochester Electronics NVD5802NT4G | NVD5802NT4G Inventory, Best Pricing

NVD5802NT4G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NVD5802NT4G
LIXINC Part #	NVD5802NT4G
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	16.4A, 40V, 0.0078OHM, N-CHANNE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NVD5802NT4G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NVD5802NT4G Specyfikacje

Numer części:	NVD5802NT4G
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	5.3 pF @ 12 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DPAK
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63