SI3460BDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI3460BDV-T1-GE3 | SI3460BDV-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI3460BDV-T1-GE3

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SI3460BDV-T1-GE3
LIXINC Part #	SI3460BDV-T1-GE3
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SI3460BDV-T1-GE3 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SI3460BDV-T1-GE3 Specyfikacje

Numer części:	SI3460BDV-T1-GE3
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	TrenchFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	8A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	24 nC @ 8 V
vgs (maks.):	±8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	860 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	2W (Ta), 3.5W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	6-TSOP
opakowanie / etui:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6