IRLD014PBF | Vishay / Siliconix IRLD014PBF | IRLD014PBF Inventory, Best Pricing

IRLD014PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRLD014PBF
LIXINC Part #	IRLD014PBF
Producent	Vishay / Siliconix
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRLD014PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRLD014PBF Specyfikacje

Numer części:	IRLD014PBF
Marka:	Vishay / Siliconix
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Vishay / Siliconix
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	60 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4V, 5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	200mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.4 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±10V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	400 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.3W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
opakowanie / etui:	4-DIP (0.300", 7.62mm)