R8002ANX | ROHM Semiconductor R8002ANX | R8002ANX Inventory, Best Pricing

R8002ANX

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	R8002ANX
LIXINC Part #	R8002ANX
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	R8002ANX Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

R8002ANX Specyfikacje

Numer części:	R8002ANX
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Not For New Designs
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	800 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	2A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12.7 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	210 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	35W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220FM
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack