MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | Micron Technology MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Inventory, Best Pricing

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
LIXINC Part #	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Specyfikacje

Numer części:	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
rozmiar pamięci:	16Gb (256M x 64)
interfejs pamięci:	-
częstotliwość zegara:	2.133 GHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	1.1V
temperatura robocza:	-30°C ~ 105°C (TC)
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015