EDFP112A3PB-GDTJ-F-R | Micron Technology EDFP112A3PB-GDTJ-F-R | EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Inventory, Best Pricing

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
LIXINC Part #	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 26 - Oct 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R Specyfikacje

Numer części:	EDFP112A3PB-GDTJ-F-R
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - Mobile LPDDR3
rozmiar pamięci:	24Gb (192M x 128)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	800 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	1.14V ~ 1.95V
temperatura robocza:	-30°C ~ 105°C (TC)
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015