MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Producent	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 26 - Oct 30 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Specyfikacje

Numer części:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Marka:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Fujitsu Electronics America, Inc.
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Non-Volatile
formacie pamięci:	FRAM
technologia:	FRAM (Ferroelectric RAM)
rozmiar pamięci:	256Kb (32K x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	-
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	150ns
czas dostępu:	150 ns
napięcie zasilające:	2.7V ~ 3.6V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015