MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B | Micron Technology MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B | MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Inventory, Best Pricing

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
LIXINC Part #	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 30 - Nov 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Specyfikacje

Numer części:	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Non-Volatile
formacie pamięci:	FLASH
technologia:	FLASH - NAND
rozmiar pamięci:	4Tb (512G x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	333 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	2.5V ~ 3.6V
temperatura robocza:	0°C ~ 70°C (TA)
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015