MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 28 - Nov 01 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Specyfikacje

Numer części:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Non-Volatile
formacie pamięci:	FLASH
technologia:	FLASH - NAND
rozmiar pamięci:	512Gb (64G x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	333 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	2.5V ~ 3.6V
temperatura robocza:	0°C ~ 70°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	132-VBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	132-VBGA (12x18)