TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
Producent	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TH58BYG2S3HBAI6 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 06 - Oct 10 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TH58BYG2S3HBAI6 Specyfikacje

Numer części:	TH58BYG2S3HBAI6
Marka:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
seria:	Benand™
pakiet:	Tray
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Non-Volatile
formacie pamięci:	FLASH
technologia:	FLASH - NAND (SLC)
rozmiar pamięci:	4Gb (512M x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	-
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	25ns
czas dostępu:	25 ns
napięcie zasilające:	1.7V ~ 1.95V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	67-VFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	67-VFBGA (6.5x8)

Ciepłe porady: Proszę wypełnić poniższy formularz. Skontaktujemy się z Tobą tak szybko, jak to możliwe.

Lixinc zaoferuje Ci najbardziej konkurencyjne ceny, zapoznaj się z ofertami.

[email protected]

LIXINC

Wyślij wiadomość

Prosimy o kontakt w celu uzyskania szczegółowych informacji.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015