MT40A1G8WE-083E AIT:B TR | Micron Technology MT40A1G8WE-083E AIT:B TR | MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Inventory, Best Pricing

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
LIXINC Part #	MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 20 - Oct 24 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR Specyfikacje

Numer części:	MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	Automotive, AEC-Q100
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - DDR4
rozmiar pamięci:	8Gb (1G x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	1.2 GHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	1.14V ~ 1.26V
temperatura robocza:	-40°C ~ 95°C (TC)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	78-TFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	78-FBGA (8x12)