MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR | Micron Technology MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR | MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR Inventory, Best Pricing

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
LIXINC Part #	MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
Producent	Micron Technology
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 24 - Oct 28 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR Specyfikacje

Numer części:	MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
Marka:	Micron Technology
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Micron Technology
seria:	Automotive, AEC-Q100
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	DRAM
technologia:	SDRAM - Mobile LPDDR4
rozmiar pamięci:	8Gb (256M x 32)
interfejs pamięci:	-
częstotliwość zegara:	2.133 GHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	-
napięcie zasilające:	1.1V
temperatura robocza:	-40°C ~ 105°C (TC)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	200-WFBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	200-WFBGA (10x14.5)