CYD09S18V18-200BBXI | Rochester Electronics CYD09S18V18-200BBXI | CYD09S18V18-200BBXI Inventory, Best Pricing

CYD09S18V18-200BBXI

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CYD09S18V18-200BBXI
LIXINC Part #	CYD09S18V18-200BBXI
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CYD09S18V18-200BBXI Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 21 - Oct 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CYD09S18V18-200BBXI Specyfikacje

Numer części:	CYD09S18V18-200BBXI
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Obsolete
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	SRAM
technologia:	SRAM - Dual Port, Synchronous
rozmiar pamięci:	9Mb (512K x 18)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	200 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	3.3 ns
napięcie zasilające:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	256-LBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	256-FBGA (17x17)