MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	MB85R256FPFCN-G-BNDE1
LIXINC Part #	MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Producent	Fujitsu Electronics America, Inc.
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	IC FRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 27 - Oct 31 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Specyfikacje

Numer części:	MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Marka:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Fujitsu Electronics America, Inc.
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Non-Volatile
formacie pamięci:	FRAM
technologia:	FRAM (Ferroelectric RAM)
rozmiar pamięci:	256Kb (32K x 8)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	-
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	150ns
czas dostępu:	150 ns
napięcie zasilające:	2.7V ~ 3.6V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
pakiet urządzeń dostawcy:	28-TSOP I