CY7C1480BV33167BZI | Rochester Electronics CY7C1480BV33167BZI | CY7C1480BV33167BZI Inventory, Best Pricing

CY7C1480BV33167BZI

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CY7C1480BV33167BZI
LIXINC Part #	CY7C1480BV33167BZI
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	obwody scalone › pamięć
Opis	CACHE SRAM, 2MX36, 3.4NS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CY7C1480BV33167BZI Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 19 - Oct 23 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CY7C1480BV33167BZI Specyfikacje

Numer części:	CY7C1480BV33167BZI
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	obwody scalone
Podkategoria:	pamięć
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
rodzaj pamięci:	Volatile
formacie pamięci:	SRAM
technologia:	SRAM - Synchronous, SDR
rozmiar pamięci:	72Mb (2M x 36)
interfejs pamięci:	Parallel
częstotliwość zegara:	167 MHz
czas cyklu zapisu - słowo, strona:	-
czas dostępu:	3.4 ns
napięcie zasilające:	3.135V ~ 3.6V
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	165-LBGA
pakiet urządzeń dostawcy:	165-FBGA (15x17)