RGTH80TS65GC11 | ROHM Semiconductor RGTH80TS65GC11 | RGTH80TS65GC11 Inventory, Best Pricing

RGTH80TS65GC11

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	RGTH80TS65GC11
LIXINC Part #	RGTH80TS65GC11
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	RGTH80TS65GC11 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 11 - Oct 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

RGTH80TS65GC11 Specyfikacje

Numer części:	RGTH80TS65GC11
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	70 A
prąd - impuls kolektora (icm):	160 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 40A
moc - maks:	234 W
przełączanie energii:	-
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	79 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	34ns/120ns
stan testowy:	400V, 40A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-247-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247N