STGB20NB37LZT4 | STMicroelectronics STGB20NB37LZT4 | STGB20NB37LZT4 Inventory, Best Pricing

STGB20NB37LZT4

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STGB20NB37LZT4
LIXINC Part #	STGB20NB37LZT4
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 425V 40A 200W D2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STGB20NB37LZT4 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STGB20NB37LZT4 Specyfikacje

Numer części:	STGB20NB37LZT4
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	PowerMESH™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	425 V
prąd - kolektor (ic) (max):	40 A
prąd - impuls kolektora (icm):	80 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 4.5V, 20A
moc - maks:	200 W
przełączanie energii:	11.8mJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	51 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	2.3µs/2µs
stan testowy:	250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
pakiet urządzeń dostawcy:	D2PAK