FGD3N60UNDF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FGD3N60UNDF
LIXINC Part #	FGD3N60UNDF
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 600V 6A 60W DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FGD3N60UNDF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 11 - Sep 15 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FGD3N60UNDF Specyfikacje

Numer części:	FGD3N60UNDF
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typu IGBT:	NPT
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	6 A
prąd - impuls kolektora (icm):	9 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 3A
moc - maks:	60 W
przełączanie energii:	52µJ (on), 30µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	1.6 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	5.5ns/22ns
stan testowy:	400V, 3A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	21 ns
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-252, (D-Pak)