IKZ75N65ES5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IKZ75N65ES5XKSA1 | IKZ75N65ES5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IKZ75N65ES5XKSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IKZ75N65ES5XKSA1
LIXINC Part #	IKZ75N65ES5XKSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IKZ75N65ES5XKSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 08 - Jul 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IKZ75N65ES5XKSA1 Specyfikacje

Numer części:	IKZ75N65ES5XKSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	TrenchStop™ 5
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	80 A
prąd - impuls kolektora (icm):	300 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	1.75V @ 15V, 75A
moc - maks:	395 W
przełączanie energii:	1.3mJ (on), 1.5mJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	164 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	46ns/405ns
stan testowy:	400V, 15A, 22.3Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	72 ns
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-247-4
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-TO247-4