STGWT30H65FB | STMicroelectronics STGWT30H65FB | STGWT30H65FB Inventory, Best Pricing

STGWT30H65FB

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STGWT30H65FB
LIXINC Part #	STGWT30H65FB
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - pojedyncze
Opis	IGBT 650V 30A 260W TO3PL
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STGWT30H65FB Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STGWT30H65FB Specyfikacje

Numer części:	STGWT30H65FB
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - pojedyncze
Producent:	STMicroelectronics
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	Trench Field Stop
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	650 V
prąd - kolektor (ic) (max):	30 A
prąd - impuls kolektora (icm):	120 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 30A
moc - maks:	260 W
przełączanie energii:	151µJ (on), 293µJ (off)
typ wejścia:	Standard
opłata za bramę:	149 nC
td (wł./wył.) @ 25°C:	37ns/146ns
stan testowy:	400V, 30A, 10Ohm, 15V
odwrotny czas odzyskiwania (trr):	-
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	TO-3P-3, SC-65-3
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-3P