STG3P2M10N60B | STMicroelectronics STG3P2M10N60B | STG3P2M10N60B Inventory, Best Pricing

STG3P2M10N60B

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	STG3P2M10N60B
LIXINC Part #	STG3P2M10N60B
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	STG3P2M10N60B Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Aug 14 - Aug 18 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

STG3P2M10N60B Specyfikacje

Numer części:	STG3P2M10N60B
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	STMicroelectronics
seria:	SEMITOP®
pakiet:	Bulk
stan części:	Obsolete
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Three Phase Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	600 V
prąd - kolektor (ic) (max):	19 A
moc - maks:	56 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 7A
prąd - odcięcie kolektora (max):	10 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	0.72 nF @ 25 V
wejście:	Single Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	SEMITOP®2
pakiet urządzeń dostawcy:	SEMITOP®2