A2C35S12M3-F | STMicroelectronics A2C35S12M3-F | A2C35S12M3-F Inventory, Best Pricing

A2C35S12M3-F

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	A2C35S12M3-F
LIXINC Part #	A2C35S12M3-F
Producent	STMicroelectronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	A2C35S12M3-F Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

A2C35S12M3-F Specyfikacje

Numer części:	A2C35S12M3-F
Marka:	STMicroelectronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	STMicroelectronics
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Three Phase Inverter with Brake
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	35 A
moc - maks:	250 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.45V @ 15V, 35A
prąd - odcięcie kolektora (max):	100 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	2154 pF @ 25 V
wejście:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	ACEPACK™ 2