DF150R12W1H3FB11BOMA1 | IR (Infineon Technologies) DF150R12W1H3FB11BOMA1 | DF150R12W1H3FB11BOMA1 Inventory, Best Pricing

DF150R12W1H3FB11BOMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DF150R12W1H3FB11BOMA1
LIXINC Part #	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE LOW POWER EASY
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DF150R12W1H3FB11BOMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DF150R12W1H3FB11BOMA1 Specyfikacje

Numer części:	DF150R12W1H3FB11BOMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	-
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	-
prąd - kolektor (ic) (max):	-
moc - maks:	-
vce(on) (max) @ vge, ic:	-
prąd - odcięcie kolektora (max):	-
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	-
wejście:	-
termistor ntc:	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	-
opakowanie / etui:	-
pakiet urządzeń dostawcy:	-