FF200R12KE3B2HOSA1 | IR (Infineon Technologies) FF200R12KE3B2HOSA1 | FF200R12KE3B2HOSA1 Inventory, Best Pricing

FF200R12KE3B2HOSA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FF200R12KE3B2HOSA1
LIXINC Part #	FF200R12KE3B2HOSA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FF200R12KE3B2HOSA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FF200R12KE3B2HOSA1 Specyfikacje

Numer części:	FF200R12KE3B2HOSA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Half Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	295 A
moc - maks:	1050 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
prąd - odcięcie kolektora (max):	5 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	14 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 125°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module