FZ1800R12HE4B9HOSA2 | IR (Infineon Technologies) FZ1800R12HE4B9HOSA2 | FZ1800R12HE4B9HOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FZ1800R12HE4B9HOSA2
LIXINC Part #	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MODULE 1200V 2735A
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FZ1800R12HE4B9HOSA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FZ1800R12HE4B9HOSA2 Specyfikacje

Numer części:	FZ1800R12HE4B9HOSA2
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Single Switch
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	2735 A
moc - maks:	11000 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 1800A
prąd - odcięcie kolektora (max):	5 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	110 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module