FZ800R45KL3B5NOSA2 | Rochester Electronics FZ800R45KL3B5NOSA2 | FZ800R45KL3B5NOSA2 Inventory, Best Pricing

FZ800R45KL3B5NOSA2

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FZ800R45KL3B5NOSA2
LIXINC Part #	FZ800R45KL3B5NOSA2
Producent	Rochester Electronics
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	FZ800R45 - IGBT MODULE
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FZ800R45KL3B5NOSA2 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FZ800R45KL3B5NOSA2 Specyfikacje

Numer części:	FZ800R45KL3B5NOSA2
Marka:	Rochester Electronics
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Rochester Electronics
seria:	-
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench Field Stop
konfiguracja:	Half Bridge
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	4.5 V
prąd - kolektor (ic) (max):	1.6 A
moc - maks:	9 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.85V @ 15V, 800A
prąd - odcięcie kolektora (max):	5 mA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	3.1 nF @ 25 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	No
temperatura robocza:	-50°C ~ 125°C
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	Module