NXH35C120L2C2S1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NXH35C120L2C2S1G

NXH35C120L2C2S1G

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NXH35C120L2C2S1G
LIXINC Part #	NXH35C120L2C2S1G
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NXH35C120L2C2S1G Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 08 - Oct 12 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NXH35C120L2C2S1G Specyfikacje

Numer części:	NXH35C120L2C2S1G
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Active
typu IGBT:	-
konfiguracja:	Three Phase Inverter with Brake
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	35 A
moc - maks:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
prąd - odcięcie kolektora (max):	250 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
wejście:	Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
opakowanie / etui:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
pakiet urządzeń dostawcy:	26-DIP