F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | IR (Infineon Technologies) F3L11MR12W2M1B65BOMA1 | F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Inventory, Best Pricing

F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
LIXINC Part #	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - igbts - moduły
Opis	LOW POWER EASY
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 07 - Oct 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Specyfikacje

Numer części:	F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - igbts - moduły
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	-
pakiet:	Tray
stan części:	Active
typu IGBT:	Trench
konfiguracja:	Three Level Inverter
napięcie - przebicie kolektor-emiter (max):	1200 V
prąd - kolektor (ic) (max):	100 A
moc - maks:	0.2 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
prąd - odcięcie kolektora (max):	40 µA
pojemność wejściowa (cies) @ vce:	7.36 nF @ 800 V
wejście:	Standard
termistor ntc:	Yes
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Chassis Mount
opakowanie / etui:	Module
pakiet urządzeń dostawcy:	AG-EASY2BM-2