TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4A60DB(STA4,Q,M) | TK4A60DB(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK4A60DB(STA4,Q,M) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK4A60DB(STA4,Q,M) Specyfikacje

Numer części:	TK4A60DB(STA4,Q,M)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	π-MOSVII
pakiet:	Tube
stan części:	Last Time Buy
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.7A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	540 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	35W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220SIS
opakowanie / etui:	TO-220-3 Full Pack