FDD4685-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDD4685-F085

FDD4685-F085

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDD4685-F085
LIXINC Part #	FDD4685-F085
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDD4685-F085 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 09 - Jul 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDD4685-F085 Specyfikacje

Numer części:	FDD4685-F085
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	P-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	40 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	8.4A (Ta), 32A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	27mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	27 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	2380 pF @ 20 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	83W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	D-PAK (TO-252AA)
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63