CSD16323Q3C | Texas Instruments CSD16323Q3C | CSD16323Q3C Inventory, Best Pricing

CSD16323Q3C

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	CSD16323Q3C
LIXINC Part #	CSD16323Q3C
Producent	Texas Instruments
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8SON
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	CSD16323Q3C Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 10 - Oct 14 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

CSD16323Q3C Specyfikacje

Numer części:	CSD16323Q3C
Marka:	Texas Instruments
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Texas Instruments
seria:	NexFET™
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	21A (Ta), 60A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	3V, 8V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	8.4 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	+10V, -8V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1300 pF @ 12.5 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SON-EP (3x3)
opakowanie / etui:	8-PowerTDFN