IRLW610ATM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRLW610ATM

IRLW610ATM

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRLW610ATM
LIXINC Part #	IRLW610ATM
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRLW610ATM Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Oct 09 - Oct 13 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRLW610ATM Specyfikacje

Numer części:	IRLW610ATM
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3.3A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1.65A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	9 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	240 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	3.1W (Ta), 33W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I2PAK (TO-262)
opakowanie / etui:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA