NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America NP82N055PUG-E1-AY | NP82N055PUG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP82N055PUG-E1-AY

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	NP82N055PUG-E1-AY
LIXINC Part #	NP82N055PUG-E1-AY
Producent	Renesas Electronics America
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	NP82N055PUG-E1-AY Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 03 - Jul 07 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

NP82N055PUG-E1-AY Specyfikacje

Numer części:	NP82N055PUG-E1-AY
Marka:	Renesas Electronics America
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Renesas Electronics America
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	55 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	82A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	5.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	160 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9600 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta), 143W (Tc)
temperatura robocza:	175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-263
opakowanie / etui:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB