BSS214NW L6327 | IR (Infineon Technologies) BSS214NW L6327 | BSS214NW L6327 Inventory, Best Pricing

BSS214NW L6327

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	BSS214NW L6327
LIXINC Part #	BSS214NW L6327
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	BSS214NW L6327 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

BSS214NW L6327 Specyfikacje

Numer części:	BSS214NW L6327
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	OptiMOS™
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	20 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	1.5A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	2.5V, 4.5V
rds na (maks.) @ id, vgs:	140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 3.7µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	0.8 nC @ 5 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	143 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	500mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	PG-SOT323-3
opakowanie / etui:	SC-70, SOT-323