IRFB3507PBF | IR (Infineon Technologies) IRFB3507PBF | IRFB3507PBF Inventory, Best Pricing

IRFB3507PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRFB3507PBF
LIXINC Part #	IRFB3507PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRFB3507PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 29 - Oct 03 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRFB3507PBF Specyfikacje

Numer części:	IRFB3507PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	75 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	97A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	130 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3540 pF @ 50 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	190W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-220AB
opakowanie / etui:	TO-220-3