R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor R6025FNZ1C9 | R6025FNZ1C9 Inventory, Best Pricing

R6025FNZ1C9

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	R6025FNZ1C9
LIXINC Part #	R6025FNZ1C9
Producent	ROHM Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	R6025FNZ1C9 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 28 - Oct 02 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

R6025FNZ1C9 Specyfikacje

Numer części:	R6025FNZ1C9
Marka:	ROHM Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	ROHM Semiconductor
seria:	-
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	600 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	25A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	180mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3500 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	150W (Tc)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	TO-247
opakowanie / etui:	TO-247-3