TSM1N45DCS RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM1N45DCS RLG | TSM1N45DCS RLG Inventory, Best Pricing

TSM1N45DCS RLG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TSM1N45DCS RLG
LIXINC Part #	TSM1N45DCS RLG
Producent	TSC (Taiwan Semiconductor)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TSM1N45DCS RLG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 25 - Sep 29 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TSM1N45DCS RLG Specyfikacje

Numer części:	TSM1N45DCS RLG
Marka:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	TSC (Taiwan Semiconductor)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	450 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	500mA (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4.25Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.9V @ 250mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	6.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±50V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	185 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	900mW (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-SOP
opakowanie / etui:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)