FDU8770_F071 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDU8770_F071

FDU8770_F071

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	FDU8770_F071
LIXINC Part #	FDU8770_F071
Producent	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	FDU8770_F071 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Jul 07 - Jul 11 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

FDU8770_F071 Specyfikacje

Numer części:	FDU8770_F071
Marka:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
seria:	PowerTrench®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	35A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	4mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	73 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	3720 pF @ 13 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	115W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	I-PAK
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA