DMN3112S-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN3112S-7

DMN3112S-7

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	DMN3112S-7
LIXINC Part #	DMN3112S-7
Producent	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	DMN3112S-7 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

DMN3112S-7 Specyfikacje

Numer części:	DMN3112S-7
Marka:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	5.8A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	57mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	-
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	268 pF @ 5 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.4W (Ta)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	SOT-23-3
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3