APT10M09B2VFRG | Microsemi APT10M09B2VFRG | APT10M09B2VFRG Inventory, Best Pricing

APT10M09B2VFRG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	APT10M09B2VFRG
LIXINC Part #	APT10M09B2VFRG
Producent	Microsemi
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	APT10M09B2VFRG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

APT10M09B2VFRG Specyfikacje

Numer części:	APT10M09B2VFRG
Marka:	Microsemi
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Microsemi
seria:	POWER MOS V®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	100A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 2.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	350 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	9875 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	625W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	T-MAX™ [B2]
opakowanie / etui:	TO-247-3 Variant