SPU11N10 | IR (Infineon Technologies) SPU11N10 | SPU11N10 Inventory, Best Pricing

SPU11N10

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SPU11N10
LIXINC Part #	SPU11N10
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SPU11N10 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SPU11N10 Specyfikacje

Numer części:	SPU11N10
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	SIPMOS®
pakiet:	Tube
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	100 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	10.5A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	170mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 21µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	18.3 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	400 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	50W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	P-TO251-3-1
opakowanie / etui:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA