SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3K302T(TE85L,F) | SSM3K302T(TE85L,F) Inventory, Best Pricing

SSM3K302T(TE85L,F)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	SSM3K302T(TE85L,F)
LIXINC Part #	SSM3K302T(TE85L,F)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	SSM3K302T(TE85L,F) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 21 - Sep 25 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

SSM3K302T(TE85L,F) Specyfikacje

Numer części:	SSM3K302T(TE85L,F)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	-
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	3A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	1.8V, 4V
rds na (maks.) @ id, vgs:	71mOhm @ 2A, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	4.3 nC @ 4 V
vgs (maks.):	±12V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	270 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	700mW (Ta)
temperatura robocza:	150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	TSM
opakowanie / etui:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3