AON6758_102 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AON6758_102

AON6758_102

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	AON6758_102
LIXINC Part #	AON6758_102
Producent	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	AON6758_102 Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 01 - Sep 05 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

AON6758_102 Specyfikacje

Numer części:	AON6758_102
Marka:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
seria:	AlphaMOS
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	27A (Ta), 32A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.4V @ 250µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1975 pF @ 15 V
funkcja fet:	Schottky Diode (Body)
rozpraszanie mocy (maks.):	4.1W (Ta), 41W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	8-DFN (5x6)
opakowanie / etui:	8-VDFN Exposed Pad