TK40P03M1(T6RSS-Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40P03M1(T6RSS-Q) | TK40P03M1(T6RSS-Q) Inventory, Best Pricing

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	TK40P03M1(T6RSS-Q)
LIXINC Part #	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Producent	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 30V 40A DP
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	TK40P03M1(T6RSS-Q) Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

TK40P03M1(T6RSS-Q) Specyfikacje

Numer części:	TK40P03M1(T6RSS-Q)
Marka:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
seria:	U-MOSVI-H
pakiet:	Tape & Reel (TR)
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	30 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	40A (Ta)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	10.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 100µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	17.5 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1150 pF @ 10 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	-
temperatura robocza:	-
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DP
opakowanie / etui:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63