IRF6709S2TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6709S2TR1PBF | IRF6709S2TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6709S2TR1PBF

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	IRF6709S2TR1PBF
LIXINC Part #	IRF6709S2TR1PBF
Producent	IR (Infineon Technologies)
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	IRF6709S2TR1PBF Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

IRF6709S2TR1PBF Specyfikacje

Numer części:	IRF6709S2TR1PBF
Marka:	IR (Infineon Technologies)
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	IR (Infineon Technologies)
seria:	HEXFET®
pakiet:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stan części:	Obsolete
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	25 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	12A (Ta), 39A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.35V @ 25µA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	12 nC @ 4.5 V
vgs (maks.):	±20V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	1010 pF @ 13 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	1.8W (Ta), 21W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 175°C (TJ)
typ mocowania:	Surface Mount
pakiet urządzeń dostawcy:	DIRECTFET S1
opakowanie / etui:	DirectFET™ Isometric S1