APT12067B2LLG | Microsemi APT12067B2LLG | APT12067B2LLG Inventory, Best Pricing

APT12067B2LLG

Powiększać

Wyłącznie w celach informacyjnych

Numer części	APT12067B2LLG
LIXINC Part #	APT12067B2LLG
Producent	Microsemi
Kategoria	dyskretny półprzewodnik › tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Opis	MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
Koło życia	Aktywny
RoHS	Brak informacji o dyrektywie RoHS
Modele EDA/CAD	APT12067B2LLG Ślad PCB i symbol
Magazyny	USA, Europa, Chiny, Specjalny Region Administracyjny Hongkong
Przewidywane doręczenie	Sep 22 - Sep 26 2024(Wybierz przyspieszoną wysyłkę)
Gwarancja	Do 1 roku [Ograniczona gwarancja]*
Zapłata
Wysyłka

APT12067B2LLG Specyfikacje

Numer części:	APT12067B2LLG
Marka:	Microsemi
Koło życia:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategoria:	dyskretny półprzewodnik
Podkategoria:	tranzystory - fety, mosfety - pojedyncze
Producent:	Microsemi
seria:	POWER MOS 7®
pakiet:	Bulk
stan części:	Active
typ fet:	N-Channel
technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
dren do źródła napięcia (vdss):	1200 V
prąd - dren ciągły (id) @ 25°C:	18A (Tc)
napięcie napędu (max rds on, min rds on):	10V
rds na (maks.) @ id, vgs:	670mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
ładunek bramki (qg) (maks.) @ vgs:	150 nC @ 10 V
vgs (maks.):	±30V
pojemność wejściowa (ciss) (maks.) @ vds:	4420 pF @ 25 V
funkcja fet:	-
rozpraszanie mocy (maks.):	565W (Tc)
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
typ mocowania:	Through Hole
pakiet urządzeń dostawcy:	T-MAX™ [B2]
opakowanie / etui:	TO-247-3 Variant